Development of Room-Temperature Schottky Diode Technology for applications in the Tera-Hertz range - Observatoire de Paris Accéder directement au contenu
Proceedings/Recueil Des Communications Année : 2019

Development of Room-Temperature Schottky Diode Technology for applications in the Tera-Hertz range

Fichier non déposé

Dates et versions

obspm-04001278 , version 1 (22-02-2023)

Identifiants

  • HAL Id : obspm-04001278 , version 1

Citer

J Treuttel, L Gatilova, J Valentin, A Maestrini, Y Jin, et al.. Development of Room-Temperature Schottky Diode Technology for applications in the Tera-Hertz range. 2019. ⟨obspm-04001278⟩
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